| 专利名称 | 一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 | 申请号 | CN200610012051.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101083301 | 公开（授权）日 | 2007.12.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 商立伟;涂德钰;王丛舜;刘明 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01) | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01) | 专利有效期 | 一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 至一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于微电子学与分子电子学中的微细加工领域，特别是一种纳米级交叉线阵列结构有机分子器件的制备方法。其步骤如下：1.在基片表面上淀积绝缘层薄膜；2.在绝缘层薄膜表面上旋涂电子束抗蚀剂，电子束曝光、显影得到下电极图形；3.蒸发制备下电极金属；4.金属剥离得到交叉线下电极；5.在下电极上覆盖生长有机分子薄膜；6.在有机分子薄膜上蒸发制备金属保护层；7.在保护层上面旋涂双层光刻胶，电子束曝光、显影得到上电极图形；8.斜向蒸发制备上电极金属薄膜；9.金属剥离得到交叉线上电极；10.干法刻蚀保护层，完成交叉线有机分子器件的制备。 |
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