| 专利名称 | 一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途 | 申请号 | CN200610080970.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101079469 | 公开（授权）日 | 2007.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王琰;卢仲毅;张晓光;韩秀峰 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01);H01L27/22(2006.01);H01L29/82(2006.01);H01L29/66(2006.01);G11C11/15(2006.01);G11C11/16(2006.01);H01F10/32(2006.01) | 专利有效期 | 一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途 至一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结及其用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，其核心膜层从下至上包括以下五层：第一磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性金属层、第二隧道势垒层以及第二磁性层。本发明提供的具有量子效应的MgO双势垒磁性隧道结，通过改进原有的MgO双势垒磁性隧道结制备技术，减少中间磁性金属层的厚度到0.5～4.5nm范围内，可以在一定外加偏压阀值下具有大电流和高TMR效应，使得这种结构的双势垒隧道结可以应用于新型自旋电子器件设计，如二极管，整流器，场效应晶体管和TMR传感器等，并且有助于MRAM等自旋电子器件的性能提升。 |
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