| 专利名称 | 一种制作电阻随机存储单元阵列的方法 | 申请号 | CN200710100014.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101079395 | 公开（授权）日 | 2007.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 王振中;赵宏武;陈东敏 | 主分类号 | H01L21/82(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/82(2006.01) | 专利有效期 | 一种制作电阻随机存储单元阵列的方法 至一种制作电阻随机存储单元阵列的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制作电阻随机存储单元阵列的方法，该方法具体为：在缺氧的条件下对制备出的PCMO薄膜进行退火处理，原位溅射金属薄膜保护层，在样品表面利用紫外光刻得到底电极总线图形，用氩离子刻蚀顶层金属薄膜保护层，用氧化性蚀刻溶液刻蚀PCMO薄膜，用氩离子刻蚀底层电极金属层，刻出底电极总线，用有机溶剂除去光刻胶，再次涂光刻胶套刻出存储单元图形，并刻出存储单元，沉积绝缘材料，用有机溶液去除光刻胶，再次在原有图形的基础上套刻出顶电极总线图形，溅射顶电极金属薄膜，去除光刻胶，形成顶电极总线。本方法包括溅射金属保护层、制作上下电极总线、选择合适的刻蚀溶液湿法刻蚀存储单元等。该方法可制作PCMO微结构的存储单元阵列。 |
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