| 专利名称 | 快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 | 申请号 | CN200610080985.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101078707 | 公开（授权）日 | 2007.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;李策 | 主分类号 | G01N27/403(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/403(2006.01);G01N27/27(2006.01);G01N33/48(2006.01) | 专利有效期 | 快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 至快速稳定的互补金属氧化物半导体恒电位仪电路 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种快速稳定的互补金属氧化物半导体(CMOS)恒电位仪电路，涉及生化传感器技术，包括运算放大器、偏置电源、两个微电极和NMOS管，一个单刀双掷开关、一个稳压电容以及一个控制开关状态的数字逻辑电路，其中，偏置电源的正端和传感器的一个微电极分别接运算放大器的正、反向输入端，偏置电源的负端和另外一个微电极共同接地电平；NMOS管的栅极接运算放大器的输出端，源极接运算放大器的反向输入端，漏极作为恒电位仪的输出端；稳压电容一端接地电平，另一端接单刀双掷开关；单刀双掷开关的两个状态分别接到了运算放大器的正、反向输入端，数字逻辑电路负责控制开关的打向。本发明使恒电位仪输出端点输出一个更接近理想的恒流源。 |
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