| 专利名称 | 用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法 | 申请号 | CN200610011983.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101078120 | 公开（授权）日 | 2007.11.28 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 付生辉;钟源;陈良惠 | 主分类号 | C23F1/16(2006.01) | IPC主分类号 | C23F1/16(2006.01);H01S5/323(2006.01) | 专利有效期 | 用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法 至用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液及制作方法 | 法律状态 | 专利申请权、专利权的转移 | 说明书摘要 | 本发明一种用于半导体激光器中光栅制作的腐蚀液，其特征在于，该腐蚀溶液是按体积比为：Br2∶HBr∶H2O＝1∶25∶480配制的混合溶液。本发明的有益效果是在GaInP材料上腐蚀出较好得光栅形貌，从而得到了好得器件性能。同时，该腐蚀液还可用于其它III－V族化合物半导体材料的腐蚀，具有广泛的应用价值。 |
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