| 专利名称 | AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器 | 申请号 | CN200710041610.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101075647 | 公开（授权）日 | 2007.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 张燕;李向阳;孙璟兰;孟祥建 | 主分类号 | H01L31/09(2006.01) | IPC主分类号 | H01L31/09(2006.01) | 专利有效期 | AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器 至AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种AlGaN/PZT紫外/红外双波段探测器，它利用复合探测材料AlGaN/PZT的双波段吸收特性，同时实现紫外光和红外光的探测。入射光束先经过AlGaN PIN结构，能量较高的紫外光被吸收，转化为紫外光电流；能量较低的红外光透过蓝宝石衬底，被PZT铁电薄膜吸收，形成的光电流通过铟柱倒焊接出。本发明的双波段探测器充分利用了不同材料的探测优势，实现了两个波段的同时探测；同时，此探测器工作于室温，简便易用。 |
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