| 专利名称 | 一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法 | 申请号 | CN200710040830.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101073687 | 公开（授权）日 | 2007.11.21 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 李刚;孙晓娜;周洪波;姚源;赵建龙 | 主分类号 | A61N1/04(2006.01) | IPC主分类号 | A61N1/04(2006.01);A61N1/36(2006.01) | 专利有效期 | 一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法 至一种高密度植入式平面阵列微电极及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种高密度植入式平面阵列微电极及其制作方法，其特征在于所述的阵列微电极利用聚合物作为绝缘层材料，通过隔层布线的设计，将电极刺激位点或记录位点与其连接导线分布在不同的绝缘层之间，并在隔离绝缘层上制作通孔结构，由电镀工艺在通孔中形成金属连接结构，实现位于隔离绝缘层上下电极刺激位点或记录位点与其连接导线的连接；其中电镀工艺后，采用化学抛光的方法对上层表面进行抛光，保证电镀金属柱与上层溅射金属层良好的电连接。本发明提供的制作方法可以在单位面积上制作比常规单层布线设计更高密度的阵列微电极，实现植入式阵列微电极更高选择性刺激或记录。 |
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