| 专利名称 | 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 | 申请号 | CN201010201505.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101899706A | 公开（授权）日 | 2010.12.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 孙莉莉;闫发旺;张会肖;王军喜;王国宏;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | C30B25/18(2006.01)I | IPC主分类号 | C30B25/18(2006.01)I;C30B25/16(2006.01)I | 专利有效期 | 采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 至采用MOCVD制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备非极性GaN基稀磁半导体材料的方法，该方法采用金属有机化合物气相外延工艺，具体步骤如下：选择一衬底；在该衬底上生长一层非极性GaN薄膜；以及在该非极性GaN薄膜上生长非极性GaN基稀磁半导体材料。利用本发明，能够获得具有高居里温度(Tc)的高质量单晶相非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料。此外，非极性GaN基稀磁半导体薄膜材料具有独特的面内各向异性分布特性(结构、光学、电学和磁学性质)，这些性质无论对基础研究还是应用研究都具有重大意义，本发明将开辟GaN基稀磁半导体研究的新领域。 |
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