| 专利名称 | Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法 | 申请号 | CN200710023307.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101070616 | 公开（授权）日 | 2007.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张庆礼;殷绍唐;丁丽华;刘文鹏;孙敦陆;谷长江 | 主分类号 | C30B29/32(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/32(2006.01) | 专利有效期 | Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法 至Yb掺杂的锗酸钆、锗酸镧及其熔体法生长方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种两种Yb掺杂的锗酸盐及其熔体法生长方法，它们的分子式可表为Yb2xLa2(1－x)GeO5、Yb2xGd2(1－x)GeO5(x＝0.0001～1)，可用Yb2O3、La2O3、Gd2O3、GeO2，或相应的镱、镧、钆、锗的其它化合物进行配料，只要能最终化合为Yb2xRE2(1－x)GeO5(RE＝La，Gd)即可；配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；对于需用籽晶来定向生长的熔体法，籽晶为Yb2xRE2(1－x)GeO5单晶或RE2GeO5单晶。Yb2xGd2(1－x)GeO5单晶可用作LD泵浦的超短脉冲激光器、可调谐激光器中的工作物质。 |
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