| 专利名称 | 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法 | 申请号 | CN200710040829.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101071843 | 公开（授权）日 | 2007.11.14 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 吴良才;宋志棠;封松林 | 主分类号 | H01L45/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L45/00(2006.01);G11C13/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法 至一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种电阻存储器的器件单元结构及制作方法，其特征在于所述的器件单元结构由顶电极、存储介质层、底电极接触，底电极、绝缘介质薄膜、金属导电层和衬底组成，其中：①制作在绝缘介质薄膜上的底电极接触是采用空心或实心的管状结构；②底电极接触与存储介质间有TiN薄膜钝化层作阻挡层；③顶电极通过钝化层上的顶电极引出孔与存储介质相连；④底电极与采用空心或实心管状的底电极接触的底部通过金属导电层相连；⑤金属导电层沉积在衬底上。本发明针对目前RRAM的发展现状，以减少电极接触面积降低功耗，提高可靠的电阻存储器器件单元结构。 |
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