| 专利名称 | 纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 | 申请号 | CN200710023322.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101067616 | 公开（授权）日 | 2007.11.07 | 申请（专利权）人 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 发明（设计）人 | 陈池来;孔德义;林丙涛;朱荣华 | 主分类号 | G01N27/62(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/62(2006.01);H01J49/40(2006.01) | 专利有效期 | 纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 至纵向高场不对称波形离子迁移谱装置 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了纵向高场不对称波形离子迁移谱装置，包括介质阻挡放电离化源、屏蔽电极、检测仪。介质阻挡放电离化源包括阻挡介质，即硼硅玻璃及镀于硼硅玻璃上的离化电极和离化电路，屏蔽电极置有分别平行镀于硼硅玻璃上的离化迁移内屏蔽电极、离化迁移外屏蔽电极和迁移检测屏蔽电极。进气样品通过介质阻挡放电离化源被离化、然后进入离子迁移管被分离、最后到达检测仪被检测到。本发明通过集成高离化率的离化源，通过改变装置结构以缩短离子复合时间，使得到达检测区的离子数大幅度增加，并比较容易地被检测到，提高了装置的灵敏度，另一方面通过使用屏蔽电极消除了介质阻挡放电离化源、离子迁移管、检测仪之间的相互影响，提高了装置的稳定性。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障