掺铬钼酸铝钾可调谐激光晶体

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专利名称 掺铬钼酸铝钾可调谐激光晶体 申请号 CN200610077935.5 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101063231 公开(授权)日 2007.10.31 申请(专利权)人 中国科学院福建物质结构研究所 发明(设计)人 王国富;王国建;龙西法;林州斌;宋明君 主分类号 C30B29/32(2006.01) IPC主分类号 C30B29/32(2006.01);C30B11/00(2006.01) 专利有效期 掺铬钼酸铝钾可调谐激光晶体 至掺铬钼酸铝钾可调谐激光晶体 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种可调谐激光晶体掺铬钼酸铝钾晶体及其制备。该晶体采用熔盐顶部籽晶法生长,采用60~80at%K2Mo3O10为助熔剂,降温速率为1~5℃/天,转速为5~30转/分钟,生长出了高质量、较大尺寸的Cr3+∶KAl(MoO4)2晶体。该晶体属三方晶系,具有P3ml(D3d3)空间群结构,折射率1.74。该晶体可作为可调谐激光晶体,其可调谐范围在700~950nm之间。用该晶体制成的固体激光器可用于光谱学、生物医学、军事等诸多领域中。

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