| 专利名称 | 互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器 | 申请号 | CN200610076009.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101064497 | 公开（授权）日 | 2007.10.31 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电子学研究所 | 发明（设计）人 | 杨海钢;崔国平 | 主分类号 | H03F3/345(2006.01) | IPC主分类号 | H03F3/345(2006.01);H03F3/347(2006.01);H03K19/0185(2006.01) | 专利有效期 | 互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器 至互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种互补金属氧化物半导体共源共栅高增益电流电压转换器，涉及电流电压转换器技术领域，包括晶体管组成的共源共栅电流镜，其由四个PMOS晶体管组成的共源共栅电流镜和四个NMOS晶体管组成的共源共栅电流镜上下对接而成，交流电流信号从上下电流镜对接处输入，被两个电流镜镜像，输出电压等于输入电流与输出共源共栅结构电阻的乘积。本发明将微弱的pA量级的电流信号转化为mV量级的电压，利用共源共栅电流镜输出阻抗大的特点实现高增益，达到了结构简单和高增益的特点，同时由于没有反馈电阻，不需要考虑稳定性的问题。 |
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