| 专利名称 | 水相中组装嵌段共聚物制备金纳米阵列电极的方法 | 申请号 | CN200710055670.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101059472 | 公开（授权）日 | 2007.10.24 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 由天艳;刘阳 | 主分类号 | G01N27/30(2006.01) | IPC主分类号 | G01N27/30(2006.01) | 专利有效期 | 水相中组装嵌段共聚物制备金纳米阵列电极的方法 至水相中组装嵌段共聚物制备金纳米阵列电极的方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及水相中组装嵌段共聚物制备金纳米阵列电极的方法，属于纳米电极技术领域。通过在水相中组装聚四乙烯基吡啶－聚苯乙烯嵌段共聚物，利用阳离子胶束与带负电荷的金纳米粒子间的静电作用制备金纳米阵列电极。该制作方法快速简便，不引入有机溶剂，电极表面可以更新重复使用，降低了成本。该金纳米阵列电极分散性好，不仅提高了电极表面的传质速率，而且对儿茶酚展现了很好的催化性能。本发明的方法制得的金属纳米粒子表面的带有相同的电荷种类，可适用于其它种类金属纳米阵列电极的制备。此外，该方法也可用于制备自组装多层膜，从而构建更加复杂的多元纳米结构，在纳米电化学的研究和生物传感器的应用方面具有重要意义。 |
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