| 专利名称 | 一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法 | 申请号 | CN200710035015.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101058678 | 公开（授权）日 | 2007.10.24 | 申请（专利权）人 | 株洲时代新材料科技股份有限公司;中国科学院化学研究所 | 发明（设计）人 | 金焱;王进;杨军;徐坚 | 主分类号 | C09C1/28(2006.01) | IPC主分类号 | C09C1/28(2006.01);C09C3/06(2006.01) | 专利有效期 | 一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法 至一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种大层间距和高活性的改性钙基蒙脱土及其制备方法。改性蒙脱土最大层间距可以达到1.4nm～7.42nm。所述改性蒙脱土的生产方法是，采用酸性溶液作为分散剂，在一定温度下利用水的溶剂化作用使蒙脱土片层产生剥离，并使蒙脱土表面的Si－O－Si键活化生成Si－OH，最终获得大的片层间距，高表面活性的改性蒙脱土。包括以下步骤：(1)改性溶液的配制：用酸和水按照1∶0.5～2的重量份配比，搅拌混合成酸性分散液；(2)蒙脱土的加入：将粉末状蒙脱土，按照合成酸性分散液与粉末状蒙脱土1∶1～3重量份配比，分批加入到分散液，将温度升高到30℃～90℃温度，搅拌0.5～3小时，冷却过滤，用水洗涤至中性，获得本发明的大层间距改性蒙脱土。 |
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