含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物及其制备方法

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专利名称 含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物及其制备方法 申请号 CN200710027892.4 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101058620 公开(授权)日 2007.10.24 申请(专利权)人 中国科学院广州化学研究所 发明(设计)人 梅群波;吕满庚;童碧海 主分类号 C08F226/06(2006.01) IPC主分类号 C08F226/06(2006.01);C08F230/04(2006.01);C09K11/06(2006.01) 专利有效期 含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物及其制备方法 至含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物及其制备方法 法律状态 授权 说明书摘要 本发明的目的是提供一种含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物及其制备方法。本发明所提供的含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物的线性聚合物,其结构具有下述式(1)或式(2)的通式:其中R表示含有0到10个碳原子的烷撑基或芳基,A表示空穴传输单元,式(1)的M1表示三价金属元素,式(2)的M2表示二价金属元素。本发明的含有空穴传输单元的8-羟基喹啉金属配合物构成的发光材料稳定性好、溶解性好、成膜性好、发光效率高、合成工艺简单、成本低廉,对于减少自然资源的消耗,缓解原材料的短缺状况,发展下一代性能优越的平面显示器件具有重要意义。

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