| 专利名称 | 基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列 | 申请号 | CN200610072795.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101055915 | 公开（授权）日 | 2007.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 曾中明;魏红祥;姜丽仙;韩秀峰;彭子龙;詹文山 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01);G11C11/16(2006.01);H03K19/18(2006.01) | 专利有效期 | 基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列 至基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件和磁逻辑元件阵列 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于双势垒磁性隧道结的逻辑元件，该逻辑元件包括四条输入信号线、一条输出信号线和隧道结单元；每条输入线中流过的电流强度均相同，分别将“0”和“1”分配给它们，利用输入信号A、B、C、D的组合，决定隧道结中磁性层的磁化方向，将通过双势垒磁性隧道结的磁电阻效应的大小作为输出信号；其特征在于所述的隧道结单元是双势垒磁性隧道结单元，包括：下部磁性层、第一隧道势垒层、中间磁性层、第二隧道势垒层和上部磁性层。本发明还涉及一种将上述任意多个磁逻辑元件按照阵列排列，并使逻辑输入信号或读出电流流过磁逻辑元件的磁逻辑元件阵列。本发明的优点在于使逻辑电路小型化及高密度集成化，利于工业化。 |
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