| 专利名称 | 一种高电导率的聚噻吩复合材料及其制备方法 | 申请号 | CN200710055671.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101054462 | 公开（授权）日 | 2007.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 杨小牛;鲁广吴;唐浩为;曲云鹏 | 主分类号 | C08L65/00(2006.01) | IPC主分类号 | C08L65/00(2006.01);C08L25/06(2006.01);C08L33/12(2006.01);C08L63/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种高电导率的聚噻吩复合材料及其制备方法 至一种高电导率的聚噻吩复合材料及其制备方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明属于一种高电导率的聚噻吩复合材料及其制备方法。该复合材料是由可溶性聚(3－丁基)噻吩材料和绝缘聚合物共混构成；可溶性聚(3－丁基)噻吩：绝缘聚合物的质量配比为4∶1－1∶39；绝缘聚合物为可溶性非共轭聚合物，优选聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯或热固型环氧树脂；还提供一种高电导率的聚噻吩的制备方法，通过聚噻吩在溶液中的预结晶形成的晶须来阻碍溶剂挥发过程中的大尺度相分离。该复合材料中聚噻吩呈现高有序的结晶态，晶体为纳米晶须且均匀分散在绝缘聚合物基质中。该复合材料电导率可达10－3S/cm量级，其可以应用于电磁波屏蔽、防静电和有机电子器件等领域。 |
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