| 专利名称 | GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器 | 申请号 | CN200710040613.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101055882 | 公开（授权）日 | 2007.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 陆卫;熊大元;李宁;甄红楼;张波;陈平平;李天信;李志锋;陈效双 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01) | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01);H01L31/111(2006.01) | 专利有效期 | GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器 至GaAs/AlGaAs/InGaAs双色焦平面探测器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种GaAs/AlGaAs/InGaAs双色量子阱红外焦平面探测器，该器件采用GaAs基材料，交替生长AlGaAs势垒/GaAs量子阱/AlGaAs势垒/InGaAs量子阱/AlGaAs势垒，利用GaAs量子阱中的子带间跃迁形成长波波段的探测，利用InGaAs量子阱中的子带间跃迁形成中波波段的探测。对长波探测的GaAs量子阱，AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层构成GaAs量子阱的势垒；对中波探测的InGaAs量子阱，AlGaAs/GaAs/AlGaAs层又构成了InGaAs量子阱的势垒，并且使AlGaAs/InGaAs/AlGaAs层的总厚度和AlGaAs/GaAs/AlGaAs层的总厚度为常规量子阱红外探测器中的一个势垒厚度，除掉了由于厚度增加使得器件的光电耦合效率下降的因素。在光电耦合方式中采用优化的二维双周期衍射光栅，在光栅刻蚀工艺中采用难度较小的浅深度刻蚀法。 |
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