| 专利名称 | 基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 | 申请号 | CN200610072797.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101055916 | 公开（授权）日 | 2007.10.17 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 韩秀峰;曾中明;韩宇男;姜丽仙;彭子龙;詹文山 | 主分类号 | H01L43/08(2006.01) | IPC主分类号 | H01L43/08(2006.01) | 专利有效期 | 基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 至基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种基于环状闭合型磁性多层膜的磁逻辑元件，包括：三条输入信号线、两条输出信号线和磁性多层膜，所述的磁性多层膜环状闭合型，三条输入信号线中每条输入线中流过的电流强度均相同，且均穿过磁性多层膜；或是所述的磁性多层膜为环状闭合型含金属芯的磁性多层膜，其中的两条输入信号线穿过磁性多层膜，每条输入线中流过的电流强度均相同，另一条输入信号线为环状闭合型磁性多层膜 中间的金属芯线。本发明的磁逻辑元件采用了环状闭合型结构的磁性多层膜单元，能有效减小退磁场和形状各向异性能，从而减小磁性自由层的反转场，进而降低逻辑操作所需的电流和功耗；另外也有利于逻辑元件工作性能的稳定和器件寿命的延长。 |
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