| 专利名称 | 一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法 | 申请号 | CN200610072719.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101050543 | 公开（授权）日 | 2007.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所 | 发明（设计）人 | 胡章贵;陈创天;刘有臣;王晓洋 | 主分类号 | C30B7/10(2006.01) | IPC主分类号 | C30B7/10(2006.01);C30B29/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法 至一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种水热法生长氟硼铍酸铷/铯单晶体的方法，其为将氟硼铍酸铷/铯营养料15～300g放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度在黄金衬套中加入含有0～2.5mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值1.0～14.0；在营养料的上方放置一个开孔率为7～15％的黄金挡板，在黄金衬套的顶部悬挂籽晶；加热使得生长区平均温度为300～425℃，溶解区平均温度为380～500℃，压力P≤200MPa；经过10～90天，得到氟硼铍酸铷/铯单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。 |
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