| 专利名称 | 一种无碲存储材料、制备方法及应用 | 申请号 | CN200710040302.1 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101049934 | 公开（授权）日 | 2007.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;刘卫丽;封松林;陈邦明 | 主分类号 | C01B33/06(2006.01) | IPC主分类号 | C01B33/06(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/06(2006.01);G11B7/24(2006.01) | 专利有效期 | 一种无碲存储材料、制备方法及应用 至一种无碲存储材料、制备方法及应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及了一种无碲存储材料、制备方法及应用。其特征在于所述的存储材料为硅－锑混合物，组成通式为SixSb100－x，0＜x＜90，优先推荐组成为5≤x≤70。所述的材料在外部能量作用下为电驱动、激光脉冲驱动或电子束驱动。通过调整这种材料中两种元素的组份，可以得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。所提供的材料体系具备如下优点：较好的可调性、较强的数据保持能力、较简单的成份和制备工艺、对半导体设备没有污染、较好的可加工性、环境友好性等，具有广阔的应用前景。硅－锑合金材料是用于存储器的理想存储介质。 |
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