| 专利名称 | 一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法 | 申请号 | CN200610072715.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101050547 | 公开（授权）日 | 2007.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院理化技术研究所;桂林矿产地质研究院 | 发明（设计）人 | 胡章贵;陈创天;刘有臣;张昌龙;王晓洋;周卫宁 | 主分类号 | C30B29/22(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/22(2006.01);C30B7/10(2006.01) | 专利有效期 | 一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法 至一种水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种使用碎晶体作为初始原料的水热法生长氟硼铍酸钾/钠单晶体的方法，其为将作为营养料的氟硼铍酸钾/钠的碎晶放置于黄金衬套中的底部，按60～80％的充满度，加入含有0～2.0mol/L矿化剂的去离子水或蒸馏水溶液，调整溶液的pH值在2.0～10.0之间；在黄金衬套的顶部悬挂c方向的氟硼铍酸钾/钠晶体作为籽晶；加热使得生长区平均温度为300～450℃，溶解区平均温度为400～500℃，压力P≤200MPa；经10～90天恒温生长，得到氟硼铍酸钾/钠单晶体。本发明工艺简单、成本低廉，可以使得在晶体c方向生长的长度达到厘米量级甚至更高；得到的晶体质量也优于助熔剂法生长的晶体，更有利于应用。 |
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