| 专利名称 | 钽酸盐的提拉法晶体生长方法 | 申请号 | CN200710022256.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101050548 | 公开（授权）日 | 2007.10.10 | 申请（专利权）人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | 发明（设计）人 | 张庆礼;殷绍唐;刘文鹏;孙敦陆;邵淑芳 | 主分类号 | C30B29/30(2006.01) | IPC主分类号 | C30B29/30(2006.01);C30B15/00(2006.01) | 专利有效期 | 钽酸盐的提拉法晶体生长方法 至钽酸盐的提拉法晶体生长方法 | 法律状态 | 专利实施许可合同备案的生效、变更及注销 | 说明书摘要 | 本发明涉及钽酸盐的提拉法晶体生长方法，所生长的化合物的分子式可表示为RE1－xDxTa1－yNbyO4，RE＝Lu、Gd、Y，D＝Bi、Ce、Eu、Tb，x、y＝0～1。所用原料Ta2O5、Nb2O5、Lu2O3、Gd2O3、Y2O3、Bi2O3、Eu2O3、Tb4O7、CeO2可用相应的钽、铌、镥、钆、铌、钇、铋、铕、铽的其他化合物来进行配制，只要通过化合反应能最终形成RE1－xDxTa1－yNbyO4化合物即可；配好的原料进行充分混合后，用模具压制成形(通常为圆盘形状)，在750～1300℃下烧结10～24小时，成为RE1－xDxTa1－yNbyO4晶体生长的初始原料，或者压制成形的原料不经烧结而直接成为晶体生长的初始原料。本发明在大量的晶体生长实验基础上，获得了Nb5+、Bi3+、Tb3+或Eu3+掺杂的稀土钽酸盐RETaO4及其纯基质单晶的提拉法生长方法，可获得Φ10mm以上的大尺寸单晶，可用于现代高能物理、核医学等领域。 |
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