| 专利名称 | 一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途 | 申请号 | CN200610057375.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101034145 | 公开（授权）日 | 2007.09.12 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 覃启航;韩秀峰;王磊;马明;赖武彦;詹文山 | 主分类号 | G01R33/09(2006.01) | IPC主分类号 | G01R33/09(2006.01);H01L43/10(2006.01) | 专利有效期 | 一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途 至一种集成的三维超导复合磁场传感器及其制法和用途 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种集成的三维超导复合磁场传感器，其包括三个两两垂直的一维磁场传感器，每个一维传感器包括：一个片基和其上的 缓冲层，在缓冲层上依次沉积了磁场测量单元和电极层，覆盖在磁场测量单元和电极层周围和之上的绝缘层，沉积在绝缘层之上的超导环路和绝缘层之上的覆盖层。该集成的三维超导复合磁场传感器是利用磁控溅射仪在片基上依次沉积各层而得。与现有的磁场传感器相比，本发明提供的集成的三维超导复合磁场传感器分辨率很高，能够用来测量地磁场甚至更小的磁场。同时，本发明提供的传感器是三维磁场的传感器，比一般的一维传感器应用范围更广。 |
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