| 专利名称 | 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片 | 申请号 | CN200710038664.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101030591 | 公开（授权）日 | 2007.09.05 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 胡晓宁;李言谨;叶振华;何力 | 主分类号 | H01L27/144(2006.01) | IPC主分类号 | H01L27/144(2006.01);H01L23/522(2006.01);H01L23/528(2006.01) | 专利有效期 | 硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片 至硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种硅基碲镉汞器件的伸缩网络结构芯片，该芯片包括：Si衬底，在Si衬底上依次置有与其牢固结合的碲化镉缓冲层、碲镉汞外延薄膜，通过器件芯片制备工艺在HgCdTe外延薄膜上形成特殊的网络状光敏元列阵，这种网络结构在温度变化时可以比较自由地伸缩。本发明带来的一个非常显著的优点是，无论器件规模有多大，器件尺寸有多大，网络结构都等效地将大芯片分解成以光敏元尺度为单位的小芯片的集成，这样在力学上器件的性能基本上与规模大小无关，从而有希望根本解决焦平面器件规模扩大后的可靠性问题。 |
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