| 专利名称 | 电阻转换存储器装置及其制造工艺 | 申请号 | CN201010127295.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101794808A | 公开（授权）日 | 2010.08.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/763(2006.01)I | 专利有效期 | 电阻转换存储器装置及其制造工艺 至电阻转换存储器装置及其制造工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明揭示了一种电阻转换存储器装置及其制造工艺，所述电阻转换存储器装置通过双浅沟道隔离形成二极管阵列，深度不同的第一浅沟道与第二浅沟道非正交相交；第一浅沟道将第一导电类型的重掺杂导电半导体线分隔开，形成多根半导体线；第二浅沟道则在同一重掺杂导电半导体线上方隔离形成多个二极管；二极管对应所需选通的电阻转换存储器单元。 |
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