| 专利名称 | 具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法 | 申请号 | CN201010123276.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101794655A | 公开（授权）日 | 2010.08.04 | 申请（专利权）人 | 中国科学院电工研究所 | 发明（设计）人 | 王秋良;胡新宁;宋守森;丁立健;严陆光 | 主分类号 | H01F6/06(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/06(2006.01)I;H01B12/00(2006.01)I;H01L39/24(2006.01)I | 专利有效期 | 具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法 至具有高屏蔽特性的低电阻超导接头的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种具有高屏蔽特性的低电阻超导接头，将NbTi/Cu超导线(1)端部的外表面铜(2)腐蚀后形成NbTi超导丝(3)。在Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)的铌层(5)的每个通孔(8)内分别插入相同数目的NbTi超导丝(3)，在Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)外施加一定的压力，将Nb/NbTi/Cu多层复合棒(4)和NbTi超导丝(3)通过压力结合在一起形成接头。将所述的接头插入到YBCO管(9)内，然后向YBCO管(9)内充入填满熔融的伍德合金焊料(10)。制成高屏蔽低电阻的超导接头。 |
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