| 专利名称 | 二极管及电阻转换存储器的制造方法 | 申请号 | CN201010130588.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101807545A | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 张挺;宋志棠;刘波;万旭东;吴关平;封松林;陈邦明 | 主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8222(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I | 专利有效期 | 二极管及电阻转换存储器的制造方法 至二极管及电阻转换存储器的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提供一种二极管及电阻转换存储器的制造方法，其中的单晶硅的制备是通过在特定金属上沉积多晶硅薄膜，采用退火工艺，利用特定金属对多晶硅结晶的诱导作用，在较低温度下使多晶硅薄膜结晶形成单晶硅，随后采用半导体工艺制造二极管阵列及基于该种二极管的电阻转换存储器。本发明的特点在于可在较低的温度下制造二极管，且能在多层堆叠的集成电路中获得应用。 |
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