| 专利名称 | 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 | 申请号 | CN200910077725.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101807521A | 公开（授权）日 | 2010.08.18 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘明;刘璟;王琴;龙世兵 | 主分类号 | H01L21/203(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/203(2006.01)I;H01L21/324(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 至浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备浮栅型非易失性存储器中复合俘获层的方法，该方法包括：采用溅射工艺将多种靶材共溅射在隧穿介质层上，淀积生长俘获层介质；在溅射过程中将其他靶材掩蔽，单独溅射某一种靶材，在俘获层中形成纳米晶材料过剩的内嵌纳米晶薄层；形成内嵌纳米晶薄层后，恢复原工艺条件继续生长俘获层材料；生长完毕，热处理形成纳米晶与俘获层堆叠的复合俘获层结构。利用本发明，器件的加工工艺与传统CMOS工艺兼容，极大的简化工艺制程，降低制作成本，为器件走向实际应用打下基础。 |
1、源头对接，价格透明
2、平台验证，实名审核
3、合同监控，代办手续
4、专员跟进，交易保障