| 专利名称 | 一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺 | 申请号 | CN200710037778.X | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101022149 | 公开（授权）日 | 2007.08.22 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 发明（设计）人 | 陈立东;赵德刚;李小亚;赵雪盈;周燕飞;柏胜强 | 主分类号 | H01L35/20(2006.01) | IPC主分类号 | H01L35/20(2006.01);H01L35/08(2006.01);H01L35/34(2006.01) | 专利有效期 | 一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺 至一种与锑化钴热电元件匹配的合金电极及一步法连接工艺 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及与锑化钴基热电材料相匹配的合金电极(导流片)及其锑化钴基热电元件的一步法连接工艺。其特征在于所述的合金电极为Mo－Cu系列合金，优点在于可以自由设计相应的热膨胀系数(CTE)，达到与热电材料很好的热匹配。采用的电极材料为厚度0.5－3mm的钼铜合金片。其制备特征是采用一步法烧结连接而成，钼铜合金电极材料与锑化钴热电材料通过采用粒径在30－75μm的金属Ti的过渡层利用放电等离子烧结(SPS)连接而成。由于钼铜合金电极电导率高，且热膨胀系数与锑化钴基热电材料非常接近，使得界面结合非常稳定，且接合面无明显的电阻跃迁，制备工艺简单，成本也较单一Mo电极低。 |
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