| 专利名称 | 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN200910077679.3 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800287A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | 专利有效期 | 一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法 至一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种平面结构有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在绝缘基底表面涂上光刻胶；步骤2、对涂光刻胶的绝缘基底进行光刻，得到栅介质图形；步骤3、在栅介质图形上生长一层栅介质薄膜；步骤4、剥离得到栅介质图形，再次进行光刻得到源电极图形、漏电极图形和栅电极图形；步骤5、电子束蒸发源、漏和栅的电极金属，剥离得到电极图形；步骤6、蒸镀有机半导体材料，完成器件的制作。利用本发明得到的平面结构有机场效应晶体管，减少了工艺流程提高的器件的集成度。 |
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