| 专利名称 | 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 | 申请号 | CN200910077673.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800284A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘舸;刘明;刘兴华;商立伟;王宏;柳江 | 主分类号 | H01L51/40(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L51/40(2006.01)I;H01L51/10(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I | 专利有效期 | 双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 至双层上电极有机场效应晶体管的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，该方法包括：步骤1、在导电硅基底上热氧化生长绝缘介质薄膜；步骤2、在绝缘介质薄膜表面上真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤3、通过漏版用电子束蒸发蒸镀一层金属电极；步骤4、再真空蒸镀一层有机半导体材料；步骤5、通过漏版用电子束蒸发蒸镀第二层金属电极，完成器件的制作。本发明提供的双层上电极有机场效应晶体管的制作方法，采用漏版蒸镀工艺，保证了生长的有机半导体薄膜的性能。而且，采用双层上电极结构，有效的减小了电极与沟道之间的距离，同时又保证了有源层的厚度。两层金属电极之间依靠金属粒子渗透进有机半导体材料而互连，从而不需要额外的互连工艺。 |
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