| 专利名称 | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 | 申请号 | CN200910077678.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800242A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 龙世兵;刘明;李维龙;贾锐 | 主分类号 | H01L29/772(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L29/772(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 专利有效期 | 用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 至用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种用纳米晶材料作为库仑岛的纳米电子器件及其制作方法。在衬底上制作一对纳米电极，在一对纳米电极之间生长纳米晶材料，纳米电极作为器件的源和漏，纳米晶作为库仑岛，库仑岛上生长的绝缘介质作为栅介质，绝缘介质上的电极作为栅电极。该纳米电子器件及其制作方法具有简单、稳定可靠、工艺步骤少、与传统CMOS工艺兼容的优点。 |
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