| 专利名称 | 一种调节金属栅的栅功函数的方法 | 申请号 | CN200910077624.2 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800197A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 周华杰;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/321(2006.01)I | 专利有效期 | 一种调节金属栅的栅功函数的方法 至一种调节金属栅的栅功函数的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种调节金属栅的栅功函数的方法，该方法包括：局部氧化隔离或浅槽隔离，进行注入前氧化，然后注入14N+；漂净注入前氧化膜，栅氧化，并沉积多晶硅；光刻、刻蚀形成多晶硅栅电极；注入杂质，杂质激活；淀积金属镍，退火硅化，使金属镍和多晶硅完全反应形成全硅化物金属栅；选择去除未反应的金属镍。本发明提供的方法，易于集成，实现了与CMOS工艺的良好兼容。 |
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