| 专利名称 | 一种多壁碳纳米管电极的制作方法 | 申请号 | CN200910243581.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102107854A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 罗强;顾长志;崔阿娟 | 主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种多壁碳纳米管电极的制作方法 至一种多壁碳纳米管电极的制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种多层管壁参与导电的多壁碳纳米管电极的制作方法，其包括将多壁碳纳米管分散于具有绝缘介质层衬底上；通过电子束曝光等微纳米加工技术制作仅接触多壁碳纳米管外层管壁的金属电极；利用聚焦离子束刻蚀技术在金属电极与多壁碳纳米管接触的部位打孔；然后利用等离子体刻蚀方法处理小孔；并用聚焦离子束沉积金属，使多壁碳纳米管的多层管壁均与金属电极直接接触；该方法使多壁碳纳米管的多层管壁都参与导电，可以提高多壁碳纳米管的电流承载能力；该方法与集成电路制造工艺兼容，适用于利用单根多壁碳纳米管制作微纳电子器件。 |
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