| 专利名称 | 一种双金属栅功函数的调节方法 | 申请号 | CN200910077620.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800196A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 徐秋霞;许高博 | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/283(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 专利有效期 | 一种双金属栅功函数的调节方法 至一种双金属栅功函数的调节方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种双金属栅功函数的调节方法，主要步骤为：(1)用快速热氧化生长超薄界面氧化层或氮氧化层；(2)利用磁控反应溅射在超薄界面氧化层上交替溅射淀积高介电常数(K)栅介质，(3)淀积高K栅介质后，快速热退火；(4)采用磁控反应溅射淀积金属氮化物栅；(5)金属离子注入对金属氮化物栅进行掺杂；(6)刻蚀形成金属栅电极后，进行快速热退火将金属离子驱动到金属栅与高K栅介质的界面上。此方法简单易行，具有好的热稳定性和调节金属栅功函数的能力，而且与CMOS工艺完全兼容，便于集成电路产业化。 |
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