| 专利名称 | 一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法 | 申请号 | CN200910077623.8 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101800178A | 公开（授权）日 | 2010.08.11 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 许高博;徐秋霞 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/314(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I | 专利有效期 | 一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法 至一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法，该方法是在铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的上下表面处淀积氮化铝薄膜，再经高温退火形成铪硅铝氧氮高介电常数栅介质，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积铪硅铝氧氮高介电常数栅介质；对淀积了铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅；对形成金属栅的硅片进行淀积后退火；背面溅铝并进行合金处理。利用本发明解决了随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题，同时，由于铝元素的引入有利于P型金属氧化物半导体器件金属栅功函数的调整。 |
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