| 专利名称 | 一种制备三维微纳器件的方法 | 申请号 | CN200910243010.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102107847A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院物理研究所 | 发明（设计）人 | 李无瑕;顾长志 | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 一种制备三维微纳器件的方法 至一种制备三维微纳器件的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种制备三维微纳器件的方法，涉及三维微纳器件技术，包括步骤：(1)样品放置与固定；(2)自由站立微纳材料的图形观测；(3)衬底平面内电极接触块及/或连线的生长；(4)三维电极接触及连线的制作；(5)衬底上残余沉积的清除；(6)得成品。本发明方法的优点是：工艺简单、器件精确，直接在自由站立的微纳材料的自由端准确无误的形成微纳电极及三维配线，实现真正意义上的三维器件的制作，为微纳器件多功能混合集成提供新的工艺途径。 |
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