| 专利名称 | 半导体纳米结构和制造方法及其应用 | 申请号 | CN200910312160.9 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102107852A | 公开（授权）日 | 2011.06.29 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 刘洪刚;刘新宇;吴德馨 | 主分类号 | B82B1/00(2006.01)I | IPC主分类号 | B82B1/00(2006.01)I;B82B3/00(2006.01)I | 专利有效期 | 半导体纳米结构和制造方法及其应用 至半导体纳米结构和制造方法及其应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及一种半导体纳米结构和制造方法及其应用，属于半导体材料制备技术领域。所述半导体纳米结构包括单晶硅衬底、介质薄膜、第一缓冲层、半导体籽晶材料、第二缓冲层和半导体纳米功能区；所述介质薄膜形成于所述单晶硅衬底上；所述单晶硅衬底上具有图形化窗口，所述第一缓冲层形成于所述图形化窗口中的单晶硅衬底上，所述半导体籽晶材料层形成于所述第一缓冲层上；所述第二缓冲层和半导体纳米功能区形成于所述介质薄膜上。本发明半导体纳米结构在硅衬底上集成生长时，其载流子迁移率、几何特征与异质结构都能满足高性能CMOS技术与硅基光电集成的要求。 |
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