一种降低CMOS瞬态功耗的电路

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专利名称 一种降低CMOS瞬态功耗的电路 申请号 CN201010127286.1 专利类型 发明专利 公开(公告)号 CN101795134A 公开(授权)日 2010.08.04 申请(专利权)人 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 发明(设计)人 丁晟;宋志棠;陈后鹏 主分类号 H03K19/20(2006.01)I IPC主分类号 H03K19/20(2006.01)I 专利有效期 一种降低CMOS瞬态功耗的电路 至一种降低CMOS瞬态功耗的电路 法律状态 实质审查的生效 说明书摘要 本发明涉及一种降低CMOS瞬态功耗的电路,包括由PMOS晶体管与NMOS晶体管连接构成的CMOS门电路,所述PMOS晶体管的源极接入电源电平;在该门电路上拉网络的PMOS晶体管的基极与电源之间,接入一个隔离器件,使得该基极与电源端隔离。同时对该基极增加稳压器件,使得该基极电压值保持一定范围内的恒定。由此,在门电路输入信号进行切换的过程中,不会引起由电源经过基极到输入端的馈通电流,从而降低了CMOS集成电路的瞬态功耗,又由于存在稳压器件,保证了基极电位始终不变,不会影响逻辑门电路操作。

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