| 专利名称 | 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 | 申请号 | CN200610003072.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101017776 | 公开（授权）日 | 2007.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 杨少延;陈涌海;李成明;范海波;王占国 | 主分类号 | H01L21/203(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/203(2006.01);C23C14/35(2006.01);C23C14/58(2006.01);C23C14/00(2006.01) | 专利有效期 | 利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 至利用可协变衬底制备生长氧化锌薄膜材料的方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 一种制备氧化锌薄膜材料的方法，特别是指一种利用SOI可协变衬底，采用磁控溅射设备制备生长氧化锌薄膜材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选用顶部具有超薄硅单晶层的SOI材料作为硅基可协变衬底；步骤2：将溅射靶材装入磁控溅射设备主生长室；步骤3：进行溅射靶材的表面预溅射处理；步骤4：将清洗过的SOI可协变衬底装入磁控溅射设备的主生长室；步骤5：进行SOI可协变衬底的加热烘烤除气处理；步骤6：氧化锌薄膜材料的磁控溅射方法制备生长；步骤7：氧化锌薄膜材料的原位退火处理；步骤8：将降到室温的氧化锌样品取出，完成氧化锌薄膜材料的制备。 |
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