| 专利名称 | 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 | 申请号 | CN200610003069.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101017956 | 公开（授权）日 | 2007.08.15 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 吴德馨;杨成樾;李宝霞 | 主分类号 | H01S5/026(2006.01) | IPC主分类号 | H01S5/026(2006.01);H01S5/022(2006.01);H01S5/024(2006.01);H01S5/00(2006.01);H01L25/00(2006.01);H01L23/00(2006.01);H01L21/50(2006.01);G02B6/00(2006.01);H04B10/02(2006.01) | 专利有效期 | 高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 至高速率半导体光发射组件的封装结构及方法 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明主要涉及光纤通信领域，特别是一种高速率半导体光发射组件的封装结构及方法。结构包括；带有射频连接头的蝶形管壳、半导体致冷器、KOVAR金属热沉、介质热沉基片、光发射器件、热敏电阻、背光检测探测器、用互连金丝连接直流接线电极和管壳引脚，用金丝或金带连接介 质热沉基片和介质基片上的共面波导传输线，以及光学耦合组件。方法包括：直流端口在管壳外部采用等间距排列的BTF标准封装形式；高频端口采用射频连接头；光学组件部分采用的是分离式调整；还具有热敏电阻和背光探测器便于监视半导体激光器的工作状态；带有半导体致冷器，用于对光发射芯片的工作温度进行控制。 |
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