| 专利名称 | 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用 | 申请号 | CN200610016822.4 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101013739 | 公开（授权）日 | 2007.08.08 | 申请（专利权）人 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 发明（设计）人 | 闫东航;王海波;朱峰;史建武;宋德 | 主分类号 | H01L51/00(2006.01) | IPC主分类号 | H01L51/00(2006.01);H01L51/05(2006.01);H01L51/42(2006.01);H01L21/20(2006.01) | 专利有效期 | 有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用 至有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制备有机半导体晶体薄膜可用于有机晶体管和有机光电三极管器件。本发明制备方法的优点是能够控制有机半导体晶体的高载流子迁移率方向在薄膜内取向有序，增强晶体之间的接触，提高薄膜的机械强度和微加工性质，载流子迁移率高，本发明弱取向外延生长薄膜为0.24cm2/Vs，是气相沉积膜的5倍，具有类单晶的性质。本发明制备方法的另一优点是适合玻璃基板和塑料基板。 |
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