| 专利名称 | 一种光开关的设计及制作工艺 | 申请号 | CN200610002666.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101008694 | 公开（授权）日 | 2007.08.01 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 董立军;陈大鹏;欧易;景玉鹏 | 主分类号 | G02B6/35(2006.01) | IPC主分类号 | G02B6/35(2006.01);G03F7/00(2006.01) | 专利有效期 | 一种光开关的设计及制作工艺 至一种光开关的设计及制作工艺 | 法律状态 | 授权 | 说明书摘要 | 本发明涉及光纤通讯和微细加工技术领域，特别是一种光开关的设计及制作工艺。a.用LPCVD低压化学气象淀积在双面抛光的硅片上双面淀积低应力氮化硅厚度；b.正面光刻氮化硅悬臂梁图形；c.RIE反应离子刻蚀形成氮化硅悬臂梁图形；d.背面光刻出腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；e.RIE反应离子刻蚀形成腐蚀窗口和光纤沟槽腐蚀窗口；f.涂胶光刻并电子束蒸发金薄膜；g.显影剥离形成金电极；h.KOH溶液在80摄氏度下腐蚀8小时形成氮化硅悬臂梁和光纤沟槽；i.光刻，电子束蒸发剥离形成下极板；j.键和两片硅片。 |
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