| 专利名称 | 可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法 | 申请号 | CN200710036412.0 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101003732 | 公开（授权）日 | 2007.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 发明（设计）人 | 乐阳;陈静;吴杰;孙艳;胡古今;戴宁 | 主分类号 | C09K11/54(2006.01) | IPC主分类号 | C09K11/54(2006.01);C09K11/02(2006.01) | 专利有效期 | 可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法 至可调控荧光波长的Ⅱ－Ⅵ族半导体核壳量子点的制备方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明公开了一种可调控荧光波长的II－VI族半导体核壳量子点的制备方法，该方法是在采用交替离子注入技术包覆CdSe量子点的基础上，将制备好的CdSe核量子点在高温下暴露于空气中，根据暴露时间实现对核量子点荧光进行调控，然后在无水无氧反应氛围下实现包覆。在温度一定条件下，核CdSe样品与大气接触时间越长，核量子点荧光波长越短。本发明的优点是：简化了核量子点的制备，只需单一发红光量子点核作为原料，就能包覆出分别发射红、黄、绿荧光的核壳量子点；虽然核量子点荧光蓝移后出现缺陷态发光，但在包覆CdS后，缺陷态发光可基本消除。 |
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