| 专利名称 | 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | 申请号 | CN200610011228.6 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN101005034 | 公开（授权）日 | 2007.07.25 | 申请（专利权）人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明（设计）人 | 王晓亮;胡国新;马志勇;冉学军;王翠敏;肖红领;王军喜;李建平;曾一平;李晋闽 | 主分类号 | H01L21/335(2006.01) | IPC主分类号 | H01L21/335(2006.01);H01L21/20(2006.01);H01L29/02(2006.01);H01L29/772(2006.01) | 专利有效期 | 碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 至碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管及制作方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明一种碳化硅衬底氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：选择一种碳化硅衬底；采用金属有机物化学气相沉积法，在衬底上生长一层高温氮化铝成核层；改变衬底温度，在高温氮化铝成核层上生长非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层；改变生长室压力，在非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层上生长非有意掺杂高迁移率氮化镓层；改变衬底温度和生长室压力，在非有意掺杂高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；最后在氮化铝插入层上生长铝镓氮层。 |
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