| 专利名称 | 一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构 | 申请号 | CN201120027046.4 | 专利类型 | 实用新型 | 公开（公告）号 | CN202013788U | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院高能物理研究所;潍坊新力超导磁电科技有限公司 | 发明（设计）人 | 张国庆;朱自安;赵玲;杜晓纪;王美芬;马文彬;姚卫超;侯治龙;宁飞鹏;王兆连;李培勇;胡金刚 | 主分类号 | H01F6/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H01F6/04(2006.01)I;H01F6/06(2006.01)I;G01R33/3815(2006.01)I | 专利有效期 | 一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构 至一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构 | 法律状态 | 说明书摘要 | 本实用新型公开了一种用于磁共振成像的窄通道冷却超导磁体结构，包括线圈骨架，线圈骨架的两端设有骨架端板，线圈骨架上设有由超导带材绕制而成的多层超导线圈，超导线圈构成超导磁体本体，超导磁体本体内设有液氦冷却通道，骨架端板的内侧面上设有导液凹槽，液氦冷却通道与导液凹槽相连通。通过液氦冷却通道在超导磁体的绕组中引入一定的液氦，使液氦可以与超导带材部分表面直接接触，大大增加液氦对于超导磁体内瞬态热源的冷却能力，能够及时地吸收由导线运动及其他原因所释放的能量，改善超导磁体内部的导冷条件，提高磁共振成像超导磁体的稳定性和克服“锻炼”效应。 |
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