| 专利名称 | 一种半导体器件的制造方法 | 申请号 | CN201010147605.5 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102222616A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明（设计）人 | 韩锴;王文武;王晓磊;陈世杰;陈大鹏 | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I | IPC主分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 专利有效期 | 一种半导体器件的制造方法 至一种半导体器件的制造方法 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明涉及半导体制造领域，本发明提供了一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成界面层、栅介质层和栅电极；在所述栅电极上形成金属氧吸除层；对所述器件进行热退火处理，以使所述金属氧吸除层吸除界面层中的氧，使界面层的厚度减小。通过本发明能够在减小界面层厚度的同时，利用退火工艺使得金属氧吸除层中的金属扩散进入栅电极和/或栅介质层，从而进一步实现调节有效功函数，控制阈值电压的效果。 |
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