| 专利名称 | 基于碳纳米管的太赫兹振荡方法及太赫兹振荡器 | 申请号 | CN201010145805.7 | 专利类型 | 发明专利 | 公开（公告）号 | CN102223140A | 公开（授权）日 | 2011.10.19 | 申请（专利权）人 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 发明（设计）人 | 王长;曹俊诚 | 主分类号 | H03B5/04(2006.01)I | IPC主分类号 | H03B5/04(2006.01)I;C01B31/00(2006.01)I | 专利有效期 | 基于碳纳米管的太赫兹振荡方法及太赫兹振荡器 至基于碳纳米管的太赫兹振荡方法及太赫兹振荡器 | 法律状态 | 实质审查的生效 | 说明书摘要 | 本发明提出了一种基于碳纳米管的太赫兹振荡方法，在半导体碳纳米管两端施加直流偏压，使该半导体碳纳米管中的电子漂移速度位于负微分漂移速度区域，从而在该半导体碳纳米管中产生随时间周期性变化的振荡电流。此外，本发明还提出了一种可实现上述方法的太赫兹振荡器及其制作方法。该碳纳米管太赫兹振荡器由芯片和与之连接的外围电路组成，作为一种新型的固态THz振荡器，具有结构简单、易于集成以及可以室温工作等优点，有望在未来的空间无线通信系统中得到广泛应用。 |
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